Σύστημα PECVD

Γιατί να μας επιλέξετε;

Αξιόπιστη ποιότητα προϊόντος
Η Xinkyo Company ιδρύθηκε το 2005 από επαγγελματίες ερευνητές υλικών. Ο ιδρυτής του σπούδασε στο Πανεπιστήμιο του Πεκίνου και είναι κορυφαίος κατασκευαστής πειραματικού εξοπλισμού υψηλής θερμοκρασίας και εργαστηριακού εξοπλισμού έρευνας νέων υλικών. Αυτό μας δίνει τη δυνατότητα να παρέχουμε υψηλής ποιότητας, χαμηλού κόστους εξοπλισμό υψηλής θερμοκρασίας για εργαστήρια έρευνας και ανάπτυξης υλικών.

Προηγμένος Εξοπλισμός
Κύριος εξοπλισμός παραγωγής: CNC μηχανές διάτρησης, μηχανές κάμψης CNC, μηχανές χάραξης CNC, τόρνοι CNC φούρνου υψηλής θερμοκρασίας, μηχανές ξαπλώστρας, φρεζάρισμα σκελετών, κέντρα μηχανικής κατεργασίας, λαμαρίνες, μηχανές κοπής με λέιζερ, μηχανές διάτρησης CNC, μηχανές κάμψης, μηχανές αυτο-χωρητικής συγκόλλησης , μηχανές συγκόλλησης τόξου αργού, συγκόλληση με λέιζερ, μηχανές αμμοβολής, αυτόματες αίθουσες ψησίματος χρωμάτων.

Ευρύ φάσμα Εφαρμογών
Τα προϊόντα χρησιμοποιούνται κυρίως σε κεραμικά, μεταλλουργία σκόνης, τρισδιάστατη εκτύπωση, έρευνα και ανάπτυξη νέων υλικών, κρυσταλλικά υλικά, θερμική επεξεργασία μετάλλων, γυαλί, υλικά αρνητικών ηλεκτροδίων για μπαταρίες λιθίου νέας ενέργειας, μαγνητικά υλικά κ.λπ.

Ευρεία Αγορά
Τα ετήσια έσοδα από τις εξαγωγικές πωλήσεις της XinKyo Furnace είναι περισσότερα από 50 εκατομμύρια, με τις αγορές της Βόρειας Αμερικής (όπως οι Ηνωμένες Πολιτείες, ο Καναδάς, το Μεξικό κ.λπ.) να αντιπροσωπεύουν το 30% και οι ευρωπαϊκές αγορές (όπως η Γαλλία, η Ισπανία, η Γερμανία κ.λπ.) περίπου 20%? 15% στη Νοτιοανατολική Ασία (Ιαπωνία, Κορέα, Ταϊλάνδη, Μαλαισία, Σιγκαπούρη, Ινδία, κ.λπ.) και 10% στη ρωσική αγορά. 10% στη Μέση Ανατολή (Σαουδική Αραβία, ΗΑΕ, κ.λπ.), 5% στην αυστραλιανή αγορά και το υπόλοιπο 10%.

Τι είναι το σύστημα PECVD;

Τα συστήματα χημικής εναπόθεσης ατμών ενισχυμένης πλάσματος (PECVD) χρησιμοποιούνται συνήθως στη βιομηχανία ημιαγωγών για διεργασίες εναπόθεσης λεπτής μεμβράνης. Η τεχνολογία PECVD περιλαμβάνει την εναπόθεση στερεών υλικών σε ένα υπόστρωμα με την εισαγωγή πτητικών πρόδρομων αερίων σε περιβάλλον πλάσματος. Τα συστήματα PECVD παρέχουν πολλά πλεονεκτήματα, όπως η επεξεργασία σε χαμηλή θερμοκρασία, η εξαιρετική ομοιομορφία του φιλμ, οι υψηλοί ρυθμοί εναπόθεσης και η συμβατότητα με ένα ευρύ φάσμα υλικών. Αυτά τα συστήματα χρησιμοποιούνται ευρέως σε διάφορες εφαρμογές όπως μικροηλεκτρονικά, φωτοβολταϊκά, οπτικά και MEMS (μικροηλεκτρομηχανικά συστήματα).

Σύστημα PECVD Τριών Ζωνών Θέρμανσης 1200C
Το SK{0}}CVD-12TPB4 είναι ένας κλίβανος σωλήνων για σύστημα PECVD, που αποτελείται από τροφοδοτικό ραδιοσυχνοτήτων 300W ή 500W, σύστημα ροής ακριβείας πολλαπλών καναλιών, σύστημα κενού και φούρνο...
Πιο

Πλεονεκτήματα του συστήματος PECVD

Χαμηλότερες θερμοκρασίες εναπόθεσης

Το σύστημα PECVD μπορεί να διεξαχθεί σε χαμηλότερες θερμοκρασίες που κυμαίνονται από θερμοκρασία δωματίου έως 350 βαθμούς, σε σύγκριση με τις τυπικές θερμοκρασίες CVD από 600 βαθμούς έως 800 βαθμούς. Αυτό το χαμηλότερο εύρος θερμοκρασίας επιτρέπει επιτυχημένες εφαρμογές όπου υψηλότερες θερμοκρασίες CVD θα μπορούσαν ενδεχομένως να βλάψουν τη συσκευή ή το υπόστρωμα που επικαλύπτεται.

Καλή συμμόρφωση και κάλυψη βημάτων

Το σύστημα PECVD παρέχει καλή συμμόρφωση και κάλυψη βημάτων σε ανώμαλες επιφάνειες. Αυτό σημαίνει ότι οι λεπτές μεμβράνες μπορούν να εναποτεθούν ομοιόμορφα και ομοιόμορφα σε πολύπλοκες και ακανόνιστες επιφάνειες, εξασφαλίζοντας υψηλής ποιότητας επίστρωση ακόμη και σε δύσκολες γεωμετρίες.

Χαμηλότερη τάση μεταξύ των στρωμάτων λεπτής μεμβράνης

Λειτουργώντας σε χαμηλότερες θερμοκρασίες, το σύστημα PECVD μειώνει την τάση μεταξύ των στρωμάτων λεπτής μεμβράνης που μπορεί να έχουν διαφορετικούς συντελεστές θερμικής διαστολής ή συστολής. Αυτό βοηθά στη διατήρηση υψηλής απόδοσης ηλεκτρικής απόδοσης και της συγκόλλησης μεταξύ των στρωμάτων.

Αυστηρότερος έλεγχος της διαδικασίας λεπτής μεμβράνης

Το PECVD επιτρέπει τον ακριβή έλεγχο των παραμέτρων της αντίδρασης, όπως οι ρυθμοί ροής αερίου, η ισχύς πλάσματος και η πίεση. Αυτό επιτρέπει τη λεπτομέρεια της διαδικασίας εναπόθεσης, με αποτέλεσμα φιλμ υψηλής ποιότητας με επιθυμητές ιδιότητες.

Υψηλά ποσοστά εναπόθεσης

Το σύστημα PECVD μπορεί να επιτύχει υψηλούς ρυθμούς εναπόθεσης, επιτρέποντας την αποτελεσματική και γρήγορη επίστρωση των υποστρωμάτων. Αυτό είναι ιδιαίτερα ωφέλιμο για βιομηχανικές εφαρμογές όπου απαιτούνται γρήγοροι ρυθμοί παραγωγής.

Καθαρότερη ενέργεια για ενεργοποίηση

Οι διεργασίες του συστήματος PECVD χρησιμοποιούν πλάσμα για να δημιουργήσουν την ενέργεια που απαιτείται για την εναπόθεση του επιφανειακού στρώματος, εξαλείφοντας την ανάγκη για θερμική ενέργεια. Αυτό όχι μόνο μειώνει την κατανάλωση ενέργειας αλλά έχει και ως αποτέλεσμα καθαρότερη χρήση ενέργειας.

Εφαρμογή συστήματος PECVD

Το σύστημα PECVD διαφέρει από το συμβατικό CVD (χημική εναπόθεση ατμού) καθώς χρησιμοποιεί πλάσμα για να εναποθέτει στρώματα σε μια επιφάνεια σε χαμηλότερες θερμοκρασίες. Οι διαδικασίες CVD βασίζονται σε θερμές επιφάνειες για να αντανακλούν χημικές ουσίες πάνω ή γύρω από το υπόστρωμα, ενώ το PECVD χρησιμοποιεί πλάσμα για τη διάχυση στρωμάτων στην επιφάνεια.
Υπάρχουν πολλά οφέλη από τη χρήση επικαλύψεων PECVD. Ένα από τα κύρια πλεονεκτήματα είναι η ικανότητα εναπόθεσης στρώσεων σε χαμηλότερες θερμοκρασίες, γεγονός που μειώνει την πίεση στο υλικό που επικαλύπτεται. Αυτό επιτρέπει καλύτερο έλεγχο της διαδικασίας λεπτής στρώσης και των ρυθμών εναπόθεσης. Οι επικαλύψεις PECVD προσφέρουν επίσης εξαιρετική ομοιομορφία μεμβράνης, επεξεργασία σε χαμηλή θερμοκρασία και υψηλή απόδοση.
Τα συστήματα PECVD χρησιμοποιούνται ευρέως στη βιομηχανία ημιαγωγών για διάφορες εφαρμογές. Χρησιμοποιούνται στην εναπόθεση λεπτών μεμβρανών για μικροηλεκτρονικές συσκευές, φωτοβολταϊκά στοιχεία και πάνελ οθόνης. Οι επικαλύψεις PECVD είναι ιδιαίτερα σημαντικές στη βιομηχανία μικροηλεκτρονικών, η οποία περιλαμβάνει τομείς όπως η αυτοκινητοβιομηχανία, η στρατιωτική και η βιομηχανική κατασκευή. Αυτές οι βιομηχανίες χρησιμοποιούν διηλεκτρικές ενώσεις, όπως το διοξείδιο του πυριτίου και το νιτρίδιο του πυριτίου, για να δημιουργήσουν ένα προστατευτικό φράγμα έναντι της διάβρωσης και της υγρασίας.
Ο εξοπλισμός PECVD είναι παρόμοιος με αυτόν που χρησιμοποιείται για διεργασίες PVD (φυσική εναπόθεση ατμού), με θάλαμο, αντλία κενού και σύστημα διανομής αερίου. Τα υβριδικά συστήματα που μπορούν να εκτελούν διεργασίες PVD και PECVD προσφέρουν το καλύτερο και των δύο κόσμων. Οι επικαλύψεις PECVD τείνουν να επικαλύπτουν όλες τις επιφάνειες στον θάλαμο, σε αντίθεση με το PVD, που είναι μια διαδικασία οπτικής επαφής. Η χρήση και η συντήρηση του εξοπλισμού PECVD θα ποικίλλει ανάλογα με το ποσοστό χρήσης κάθε διαδικασίας.

Πώς τα συστήματα PECVD δημιουργούν επιστρώσεις;

Το PECVD είναι μια παραλλαγή της εναπόθεσης χημικών ατμών (CVD) που χρησιμοποιεί πλάσμα αντί για θερμότητα για να ενεργοποιήσει το αέριο ή τον ατμό της πηγής. Εφόσον οι υψηλές θερμοκρασίες μπορούν να αποφευχθούν, η γκάμα των πιθανών υποστρωμάτων επεκτείνεται σε υλικά χαμηλού σημείου τήξης – ακόμη και πλαστικά σε ορισμένες περιπτώσεις. Επιπλέον, η γκάμα των υλικών επίστρωσης που μπορούν να εναποτεθούν μεγαλώνει επίσης.
Το πλάσμα σε διεργασίες εναπόθεσης ατμού παράγεται τυπικά με την εφαρμογή τάσης σε ηλεκτρόδια που είναι ενσωματωμένα σε ένα αέριο σε χαμηλές πιέσεις. Τα συστήματα PECVD μπορούν να παράγουν πλάσμα με διαφορετικά μέσα, π.χ. ραδιοσυχνότητες (RF) έως μεσαίες συχνότητες (MF) έως παλμική ή ευθεία ισχύ DC. Όποια περιοχή συχνοτήτων και αν χρησιμοποιηθεί, ο στόχος παραμένει ο ίδιος: η ενέργεια που παρέχεται από την πηγή ενέργειας ενεργοποιεί το αέριο ή τον ατμό, σχηματίζοντας ηλεκτρόνια, ιόντα και ουδέτερες ρίζες.
Αυτά τα ενεργητικά είδη είναι στη συνέχεια προετοιμασμένα για να αντιδράσουν και να συμπυκνωθούν στην επιφάνεια του υποστρώματος. Για παράδειγμα, το DLC (άνθρακας τύπου διαμαντιού), μια δημοφιλής επίστρωση απόδοσης, δημιουργείται όταν ένα αέριο υδρογονάνθρακα όπως το μεθάνιο διαχωρίζεται σε ένα πλάσμα και ο άνθρακας και το υδρογόνο ανασυνδυάζονται στην επιφάνεια του υποστρώματος, σχηματίζοντας το φινίρισμα. Εκτός από την αρχική πυρήνωση της επικάλυψης, ο ρυθμός ανάπτυξής της είναι σχετικά σταθερός, επομένως το πάχος της είναι ανάλογο με το χρόνο απόθεσης.

Ποια είναι η αρχή λειτουργίας του συστήματος PECVD;

Γενιά πλάσματος

Τα συστήματα PECVD χρησιμοποιούν τροφοδοτικό ραδιοσυχνοτήτων υψηλής συχνότητας για τη δημιουργία πλάσματος χαμηλής πίεσης. Αυτό το τροφοδοτικό δημιουργεί μια εκκένωση λάμψης στο αέριο διεργασίας, το οποίο ιονίζει τα μόρια του αερίου και δημιουργεί ένα πλάσμα. Το πλάσμα αποτελείται από ιονισμένα είδη αερίων (ιόντα), ηλεκτρόνια και μερικά ουδέτερα είδη τόσο σε επίγεια όσο και σε διεγερμένη κατάσταση.

Κατάθεση Ταινιών

Το στερεό φιλμ εναποτίθεται στην επιφάνεια του υποστρώματος. Το υπόστρωμα μπορεί να κατασκευαστεί από διάφορα υλικά, όπως πυρίτιο (Si), διοξείδιο του πυριτίου (SiO2), οξείδιο αλουμινίου (Al2O3), νικέλιο (Ni) και ανοξείδωτο χάλυβα. Το πάχος του φιλμ μπορεί να ελεγχθεί ρυθμίζοντας τις παραμέτρους εναπόθεσης όπως ο ρυθμός ροής του πρόδρομου αερίου, η ισχύς πλάσματος και ο χρόνος εναπόθεσης.

Πρόδρομη ενεργοποίηση αερίου

Τα πρόδρομα αέρια, τα οποία περιέχουν τα επιθυμητά στοιχεία για εναπόθεση μεμβράνης, εισάγονται στον θάλαμο PECVD. Το πλάσμα στον θάλαμο ενεργοποιεί αυτά τα πρόδρομα αέρια προκαλώντας ανελαστικές συγκρούσεις μεταξύ των ηλεκτρονίων και των μορίων αερίου. Αυτές οι συγκρούσεις έχουν ως αποτέλεσμα τον σχηματισμό αντιδραστικών ειδών, όπως διεγερμένα ουδέτερα και ελεύθερες ρίζες, καθώς και ιόντα και ηλεκτρόνια.

Χημικές αντιδράσεις

Τα ενεργοποιημένα πρόδρομα αέρια υφίστανται μια σειρά χημικών αντιδράσεων στο πλάσμα. Αυτές οι αντιδράσεις περιλαμβάνουν τα αντιδραστικά είδη που σχηματίστηκαν στο προηγούμενο βήμα. Τα αντιδρώντα είδη αντιδρούν μεταξύ τους και με την επιφάνεια του υποστρώματος σχηματίζοντας ένα συμπαγές φιλμ. Η εναπόθεση μεμβράνης συμβαίνει λόγω ενός συνδυασμού χημικών αντιδράσεων και φυσικών διεργασιών όπως η προσρόφηση και η εκρόφηση.

Λειτουργεί το σύστημα PECVD σε υψηλό κενό ή ατμοσφαιρική πίεση;

Τα συστήματα PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) λειτουργούν συνήθως σε χαμηλές πιέσεις, συνήθως στην περιοχή 0.1-10 Torr, και σε σχετικά χαμηλές θερμοκρασίες, συνήθως στην περιοχή 200-500 βαθμός . Αυτό σημαίνει ότι το PECVD λειτουργεί σε υψηλό κενό, καθώς απαιτεί ένα ακριβό σύστημα κενού για τη διατήρηση αυτών των χαμηλών πιέσεων.
Η χαμηλή πίεση στο PECVD συμβάλλει στη μείωση της διασποράς και στην προώθηση της ομοιομορφίας στη διαδικασία εναπόθεσης. Ελαχιστοποιεί επίσης τη ζημιά στο υπόστρωμα και επιτρέπει την εναπόθεση μεγάλης ποικιλίας υλικών.
Τα συστήματα PECVD αποτελούνται από έναν θάλαμο κενού, ένα σύστημα παροχής αερίου, μια γεννήτρια πλάσματος και μια θήκη υποστρώματος. Το σύστημα παροχής αερίου εισάγει πρόδρομα αέρια στον θάλαμο κενού, όπου ενεργοποιούνται από το πλάσμα για να σχηματίσουν ένα λεπτό φιλμ στο υπόστρωμα.
Η γεννήτρια πλάσματος στα συστήματα PECVD χρησιμοποιεί συνήθως τροφοδοτικό ραδιοσυχνοτήτων υψηλής συχνότητας για να δημιουργήσει μια εκκένωση λάμψης στο αέριο διεργασίας. Στη συνέχεια, το πλάσμα ενεργοποιεί τα πρόδρομα αέρια, προάγοντας χημικές αντιδράσεις που οδηγούν στο σχηματισμό λεπτής μεμβράνης στο υπόστρωμα.
Το PECVD λειτουργεί σε υψηλό κενό, συνήθως στην περιοχή 0.1-10 Torr, για να διασφαλιστεί η ομοιομορφία και να ελαχιστοποιηθεί η ζημιά στο υπόστρωμα κατά τη διαδικασία εναπόθεσης.

Ποια είναι η θερμοκρασία στην οποία εκτελείται το σύστημα PECVD;

Η θερμοκρασία στην οποία πραγματοποιείται το PECVD (Πλάσμα Ενισχυμένη Χημική Εναπόθεση ατμών) ποικίλλει από θερμοκρασία δωματίου έως 350 βαθμούς. Αυτό το χαμηλότερο εύρος θερμοκρασίας είναι πλεονεκτικό σε σύγκριση με τις τυπικές διαδικασίες CVD (Chemical Vapor Deposition), οι οποίες συνήθως διεξάγονται σε θερμοκρασίες μεταξύ 600 και 800 μοιρών.
Οι χαμηλότερες θερμοκρασίες εναπόθεσης του PECVD επιτρέπουν επιτυχημένες εφαρμογές σε καταστάσεις όπου οι υψηλότερες θερμοκρασίες CVD θα μπορούσαν ενδεχομένως να βλάψουν τη συσκευή ή το υπόστρωμα που επικαλύπτεται. Λειτουργώντας σε χαμηλότερη θερμοκρασία, δημιουργεί λιγότερη πίεση μεταξύ στρωμάτων λεπτής μεμβράνης που έχουν διαφορετικούς συντελεστές θερμικής διαστολής/συστολής, με αποτέλεσμα την ηλεκτρική απόδοση υψηλής απόδοσης και τη συγκόλληση με υψηλά πρότυπα.
Το PECVD χρησιμοποιείται στη νανοκατασκευή για την εναπόθεση λεπτών υμενίων. Οι θερμοκρασίες εναπόθεσής του κυμαίνονται από 200 έως 400 βαθμούς. Επιλέγεται έναντι άλλων διεργασιών όπως το LPCVD (Χημική Εναπόθεση Ατμών Χαμηλής Πίεσης) ή η θερμική οξείδωση του πυριτίου όταν είναι απαραίτητη η επεξεργασία χαμηλότερης θερμοκρασίας λόγω προβλημάτων θερμικού κύκλου ή περιορισμών υλικού. Οι μεμβράνες PECVD τείνουν να έχουν υψηλότερους ρυθμούς χάραξης, υψηλότερη περιεκτικότητα σε υδρογόνο και οπές καρφίτσας, ειδικά για λεπτότερες μεμβράνες. Ωστόσο, το PECVD μπορεί να παρέχει υψηλότερους ρυθμούς εναπόθεσης σε σύγκριση με το LPCVD.
Τα πλεονεκτήματα του PECVD έναντι του συμβατικού CVD περιλαμβάνουν χαμηλότερες θερμοκρασίες εναπόθεσης, καλή συμμόρφωση και κάλυψη βημάτων σε ανώμαλες επιφάνειες, αυστηρότερο έλεγχο της διαδικασίας λεπτής μεμβράνης και υψηλούς ρυθμούς εναπόθεσης. Το σύστημα PECVD χρησιμοποιεί ένα πλάσμα για να παρέχει ενέργεια για την αντίδραση εναπόθεσης, επιτρέποντας επεξεργασία χαμηλότερης θερμοκρασίας σε σύγκριση με αμιγώς θερμικές μεθόδους όπως το LPCVD.
Το εύρος θερμοκρασίας του PECVD επιτρέπει μεγαλύτερη ευελιξία στη διαδικασία εναπόθεσης, επιτρέποντας επιτυχημένες εφαρμογές σε διάφορες καταστάσεις όπου οι υψηλότερες θερμοκρασίες ενδέχεται να μην είναι κατάλληλες.

Ποια υλικά κατατίθενται στο PECVD;

Το PECVD σημαίνει εναπόθεση χημικών ατμών ενισχυμένης πλάσματος. Είναι μια τεχνική απόθεσης σε χαμηλή θερμοκρασία που χρησιμοποιείται στη βιομηχανία ημιαγωγών για την εναπόθεση λεπτών μεμβρανών σε υποστρώματα. Τα υλικά που μπορούν να εναποτεθούν χρησιμοποιώντας το PECVD περιλαμβάνουν οξείδιο του πυριτίου, διοξείδιο του πυριτίου, νιτρίδιο του πυριτίου, καρβίδιο του πυριτίου, άνθρακα που μοιάζει με διαμάντι, πολυπυρίτιο και άμορφο πυρίτιο.
Το PECVD λαμβάνει χώρα σε έναν αντιδραστήρα CVD με την προσθήκη πλάσματος, το οποίο είναι ένα μερικώς ιονισμένο αέριο με υψηλή περιεκτικότητα σε ελεύθερα ηλεκτρόνια. Το πλάσμα παράγεται με την εφαρμογή ενέργειας ραδιοσυχνοτήτων στο αέριο στον αντιδραστήρα. Η ενέργεια από τα ελεύθερα ηλεκτρόνια στο πλάσμα διασπά τα αντιδρώντα αέρια, οδηγώντας σε μια χημική αντίδραση που εναποθέτει ένα φιλμ στην επιφάνεια του υποστρώματος.
Το PECVD μπορεί να πραγματοποιηθεί σε χαμηλές θερμοκρασίες, συνήθως μεταξύ 100 μοιρών και 400 μοιρών, επειδή η ενέργεια από τα ελεύθερα ηλεκτρόνια στο πλάσμα διασπά τα αντιδρώντα αέρια. Αυτή η μέθοδος απόθεσης σε χαμηλή θερμοκρασία είναι κατάλληλη για συσκευές ευαίσθητες στη θερμοκρασία.
Οι μεμβράνες που κατατίθενται από την PECVD έχουν διάφορες εφαρμογές στη βιομηχανία ημιαγωγών. Χρησιμοποιούνται ως στρώματα απομόνωσης μεταξύ αγώγιμων στρωμάτων, για επιφανειακή παθητικοποίηση και ενθυλάκωση της συσκευής. Οι μεμβράνες PECVD μπορούν επίσης να χρησιμοποιηθούν ως ενθυλακωτικά, στρώματα παθητικοποίησης, σκληρές μάσκες και μονωτές σε ένα ευρύ φάσμα συσκευών. Επιπλέον, οι μεμβράνες PECVD χρησιμοποιούνται σε οπτικές επιστρώσεις, συντονισμό φίλτρων ραδιοσυχνοτήτων και ως θυσιαστικά στρώματα σε συσκευές MEMS.
Το PECVD προσφέρει το πλεονέκτημα της παροχής εξαιρετικά ομοιόμορφων στοιχειομετρικών μεμβρανών με χαμηλή τάση. Οι ιδιότητες του φιλμ, όπως η στοιχειομετρία, ο δείκτης διάθλασης και η τάση, μπορούν να ρυθμιστούν σε ένα ευρύ φάσμα ανάλογα με την εφαρμογή. Με την προσθήκη άλλων αντιδρώντων αερίων, το φάσμα των ιδιοτήτων του φιλμ μπορεί να επεκταθεί, επιτρέποντας την εναπόθεση μεμβρανών όπως το φθοριούχο διοξείδιο του πυριτίου (SiOF) και το οξυκαρβίδιο του πυριτίου (SiOC).
Το PECVD είναι μια κρίσιμη διαδικασία στη βιομηχανία ημιαγωγών για την εναπόθεση λεπτών μεμβρανών με ακριβή έλεγχο του πάχους, της χημικής σύνθεσης και των ιδιοτήτων. Χρησιμοποιείται ευρέως για την εναπόθεση διοξειδίου του πυριτίου και άλλων υλικών σε συσκευές ευαίσθητες στη θερμοκρασία.

Ποια είναι η διαφορά μεταξύ PECVD και CVD;

Η PECVD (ενισχυμένη με πλάσμα χημική εναπόθεση ατμών) και η CVD (χημική εναπόθεση ατμού) είναι δύο διαφορετικές τεχνικές που χρησιμοποιούνται για την εναπόθεση λεπτών μεμβρανών σε ένα υπόστρωμα. Η κύρια διαφορά μεταξύ PECVD και CVD έγκειται στη διαδικασία εναπόθεσης και στις χρησιμοποιούμενες θερμοκρασίες.
Η CVD είναι μια διαδικασία που βασίζεται σε θερμές επιφάνειες για να αντανακλούν τις χημικές ουσίες πάνω ή γύρω από το υπόστρωμα. Χρησιμοποιεί υψηλότερες θερμοκρασίες σε σύγκριση με το PECVD. Η CVD περιλαμβάνει τη χημική αντίδραση των πρόδρομων αερίων στην επιφάνεια του υποστρώματος, που οδηγεί στην εναπόθεση μιας λεπτής μεμβράνης. Η εναπόθεση των επικαλύψεων CVD λαμβάνει χώρα σε μια ρέουσα αέρια κατάσταση, η οποία είναι ένας διάχυτος πολυκατευθυντικός τύπος εναπόθεσης. Περιλαμβάνει χημικές αντιδράσεις μεταξύ των πρόδρομων αερίων και της επιφάνειας του υποστρώματος.
Από την άλλη πλευρά, το PECVD χρησιμοποιεί ψυχρό πλάσμα για να εναποθέσει στρώματα σε μια επιφάνεια. Χρησιμοποιεί πολύ χαμηλές θερμοκρασίες εναπόθεσης σε σύγκριση με το CVD. Το PECVD περιλαμβάνει τη χρήση πλάσματος, το οποίο δημιουργείται με την εφαρμογή ενός ηλεκτρικού πεδίου υψηλής συχνότητας σε ένα αέριο, συνήθως ένα μείγμα πρόδρομων αερίων. Το πλάσμα ενεργοποιεί τα πρόδρομα αέρια, επιτρέποντάς τους να αντιδρούν και να εναποτίθενται ως λεπτή μεμβράνη πάνω στο υπόστρωμα. Η εναπόθεση των επικαλύψεων PECVD λαμβάνει χώρα μέσω μιας εναπόθεσης γραμμής θέσης, καθώς τα ενεργοποιημένα πρόδρομα αέρια κατευθύνονται προς το υπόστρωμα.
Τα οφέλη από τη χρήση επιστρώσεων PECVD περιλαμβάνουν χαμηλότερες θερμοκρασίες εναπόθεσης, οι οποίες μειώνουν την πίεση στο υλικό που επικαλύπτεται. Αυτή η χαμηλότερη θερμοκρασία επιτρέπει καλύτερο έλεγχο της διαδικασίας λεπτής στρώσης και των ρυθμών εναπόθεσης. Οι επιστρώσεις PECVD έχουν επίσης ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, συμπεριλαμβανομένων στρώσεων κατά των γρατσουνιών στην οπτική.
Το PECVD και το CVD είναι διαφορετικές τεχνικές για την εναπόθεση λεπτών υμενίων. Το CVD βασίζεται σε θερμές επιφάνειες και χημικές αντιδράσεις, ενώ το PECVD χρησιμοποιεί ψυχρό πλάσμα και χαμηλότερες θερμοκρασίες για εναπόθεση. Η επιλογή μεταξύ PECVD και CVD εξαρτάται από τη συγκεκριμένη εφαρμογή και τις επιθυμητές ιδιότητες της επίστρωσης.

Λειτουργία Συστημάτων PECVD

Η εναπόθεση χημικών ατμών (CVD) είναι μια διαδικασία κατά την οποία ένα μείγμα αερίων αντιδρά για να σχηματίσει ένα στερεό προϊόν το οποίο εναποτίθεται ως επίστρωση στην επιφάνεια ενός υποστρώματος. Οι τύποι επικαλύψεων που μπορούν να ληφθούν με CVD ποικίλλουν: μονωτικές, ημιαγώγιμες, αγώγιμες ή υπεραγώγιμες επικαλύψεις. υδρόφιλες ή υδρόφοβες επιστρώσεις, σιδηροηλεκτρικές ή σιδηρομαγνητικές στρώσεις. Επιστρώσεις ανθεκτικές στη θερμότητα, τη φθορά, τη διάβρωση ή τις γρατσουνιές. φωτοευαίσθητα στρώματα κ.λπ. Έχουν αναπτυχθεί διάφοροι τρόποι για τη διεξαγωγή CVD, οι οποίοι διαφέρουν από τον τρόπο ενεργοποίησης της αντίδρασης. Γενικά, το CVD σε όλες τις μορφές του επιτυγχάνει πολύ ομοιογενείς επικαλύψεις επιφανειών, ιδιαίτερα χρήσιμες σε τρισδιάστατα μέρη, ακόμη και με κενά ή ακανόνιστες επιφάνειες που είναι δύσκολο να προσπελαστούν. Ωστόσο, η χημική εναπόθεση ατμών ενισχυμένη με πλάσμα (PECVD) έχει το πρόσθετο πλεονέκτημα έναντι του θερμικά ενεργοποιημένου CVD, επειδή μπορεί να λειτουργεί σε χαμηλότερες θερμοκρασίες.
Ένας πολύ αποτελεσματικός τρόπος εφαρμογής επικαλύψεων πλάσματος συνίσταται στην τοποθέτηση των τεμαχίων εργασίας στον θάλαμο κενού ενός συστήματος PECVD όπου η πίεση μειώνεται μεταξύ {0}}.1 και 0,5 millibar περίπου. Μια ροή αερίου εισάγεται στον θάλαμο για να εναποτεθεί στην επιφάνεια και ένα ηλεκτρικό σοκ εφαρμόζεται για να διεγείρει τα άτομα ή τα μόρια του μίγματος αερίων. Το αποτέλεσμα είναι το πλάσμα του οποίου τα συστατικά είναι πολύ πιο αντιδραστικά από την κανονική αέρια κατάσταση, που επιτρέπει τις αντιδράσεις να συμβαίνουν σε χαμηλότερες θερμοκρασίες (μεταξύ 100 και 400 μοίρες), αυξάνει τον ρυθμό εναπόθεσης και σε ορισμένες περιπτώσεις αυξάνει ακόμη και την αποτελεσματικότητα ορισμένων αντιδράσεων. Η διαδικασία συνεχίζεται στο σύστημα PECVD έως ότου η επικάλυψη φτάσει στο επιθυμητό πάχος και τα υποπροϊόντα της αντίδρασης εξάγονται για να βελτιωθεί η καθαρότητα της επικάλυψης.

Οι Πιστοποιήσεις μας

Το εργοστάσιό μας

Η Xinkyo Company ιδρύθηκε το 2005 από επαγγελματίες ερευνητές υλικών. Ο ιδρυτής του σπούδασε στο Πανεπιστήμιο του Πεκίνου και είναι κορυφαίος κατασκευαστής πειραματικού εξοπλισμού υψηλής θερμοκρασίας και εργαστηριακού εξοπλισμού έρευνας νέων υλικών. Αυτό μας δίνει τη δυνατότητα να παρέχουμε υψηλής ποιότητας, χαμηλού κόστους εξοπλισμό υψηλής θερμοκρασίας για εργαστήρια έρευνας και ανάπτυξης υλικών. Τα προϊόντα μας περιλαμβάνουν φούρνους υψηλής θερμοκρασίας, φούρνους σωλήνων, φούρνους κενού, φούρνους τρόλεϊ, κλιβάνους ανύψωσης και άλλα πλήρη σετ εξοπλισμού. Χάρη στον εξαιρετικό σχεδιασμό, τις προσιτές τιμές και την εξυπηρέτηση πελατών, η Xinkyo δεσμεύεται να γίνει ο παγκόσμιος ηγέτης στην έρευνα επιστήμης υλικών για εξοπλισμό υψηλής θερμοκρασίας.

Απόλυτος οδηγός συχνών ερωτήσεων για το σύστημα PECVD

Ε: Ποια υλικά χρησιμοποιούνται στο PECVD;

Α: Οι μεμβράνες που συνήθως εναποτίθενται από το PECVD περιλαμβάνουν οξείδιο του πυριτίου, διοξείδιο του πυριτίου, νιτρίδιο του πυριτίου, καρβίδιο του πυριτίου, άνθρακα που μοιάζει με διαμάντι, πολυπυρίτιο και άμορφο πυρίτιο. Αυτά τα φιλμ χρησιμοποιούνται στη βιομηχανία ημιαγωγών για την απομόνωση αγώγιμων στρωμάτων, την παθητικοποίηση της επιφάνειας και την ενθυλάκωση της συσκευής.

Ε: Ποια είναι η διαφορά μεταξύ PECVD και CVD;

Α: Ενώ οι τυπικές θερμοκρασίες CVD διεξάγονται συνήθως από 600 έως 800 βαθμούς, οι θερμοκρασίες PECVD κυμαίνονται από θερμοκρασία δωματίου έως 350 βαθμούς, γεγονός που επιτρέπει επιτυχημένες εφαρμογές σε καταστάσεις όπου οι υψηλότερες θερμοκρασίες CVD θα μπορούσαν ενδεχομένως να βλάψουν τη συσκευή ή το υπόστρωμα που επικαλύπτεται.

Ε: Τι είναι η προδιαγραφή PECVD;

Α: Το PECVD έχει μεταβλητό στάδιο θερμοκρασίας (RT έως 600 μοίρες). Αυτό το σύστημα υποστηρίζει μεγέθη γκοφρέτας έως 6 ίντσες και παρέχει ανάπτυξη φιλμ PECVD σε ένα ευρύ φάσμα συνθηκών διεργασίας.

Ε: Ποια είναι η θερμοκρασία του PECVD;

Α: Οι θερμοκρασίες εναπόθεσης PECVD είναι μεταξύ 200 και 400 μοιρών. Χρησιμοποιείται αντί για LPCVD ή θερμική οξείδωση του πυριτίου όταν απαιτείται επεξεργασία χαμηλότερης θερμοκρασίας λόγω ανησυχιών για τον θερμικό κύκλο ή περιορισμούς υλικού.

Ε: Ποια είναι η διαφορά μεταξύ Lpcvd και PECVD;

Α: Το LPCVD έχει υψηλότερη θερμοκρασία από το PECVD. Χρησιμοποιεί ένα πλάσμα για να παρέχει ενέργεια στα αντιδρώντα. Ενώ το PECVD χρησιμοποιεί υψηλή θερμοκρασία, είναι μια ημι-καθαρή μέθοδος για την παραγωγή υλικών με βάση το πυρίτιο. Όταν χρησιμοποιείται LPCVD, δεν απαιτείται υπόστρωμα πυριτίου.

Ε: Γιατί το PECVD χρησιμοποιεί συνήθως είσοδο ισχύος RF;

Α: Αντί να βασίζονται αποκλειστικά στη θερμική ενέργεια για τη διατήρηση των χημικών αντιδράσεων, τα συστήματα PECVD χρησιμοποιούν εκκένωση λάμψης που προκαλείται από RF για να μεταφέρει ενέργεια στα αντιδρώντα αέρια, επιτρέποντας στο υπόστρωμα να παραμείνει σε χαμηλότερη θερμοκρασία από αυτή των APCVD και LPCVD.

Ε: Πού χρησιμοποιείται το PECVD;

Α: Το PECVD χρησιμοποιείται στην οπτική, τη μικροηλεκτρονική, τις ενεργειακές εφαρμογές, τη συσκευασία και τη χημεία για την εναπόθεση αντιανακλαστικών επιστρώσεων, διαφανών επιστρώσεων ανθεκτικών στις γρατσουνιές, ηλεκτρονικά ενεργών στρωμάτων, στρωμάτων παθητικοποίησης, διηλεκτρικών στρωμάτων, μονωτικών στρωμάτων, στρώσεων ακινητοποίησης, ενθυλάκωσης και χημικών προστατευτικό...

Ε: Τι είναι η εναπόθεση SiN με χρήση PECVD;

Α: Η χημική εναπόθεση ατμών ενισχυμένη με πλάσμα (PECVD) είναι μια βασική τεχνική εναπόθεσης που χρησιμοποιείται στην κατασκευή ηλιακών κυψελών πυριτίου. Οι αντιδραστήρες PECVD χρησιμοποιούνται για την εναπόθεση στρώσεων λεπτής μεμβράνης νιτριδίου του πυριτίου (SiNx) και πιο πρόσφατα, οξειδίου του αργιλίου (AlOx) στην κατασκευή ηλιακών κυψελών PERC.

Ε: Ποια είναι η διαφορά μεταξύ HDP CVD και PECVD;

Α: Η εναπόθεση χημικών ατμών πλάσματος υψηλής πυκνότητας (HDPCVD) είναι μια ειδική μορφή χημικής εναπόθεσης ατμών ενισχυμένης με πλάσμα (PECVD) που χρησιμοποιεί μια πηγή επαγωγικά συζευγμένου πλάσματος (ICP) που παρέχει υψηλότερη πυκνότητα πλάσματος από ένα τυπικό σύστημα PECVD παράλληλης πλάκας .

Ε: Τι είναι η επίστρωση DLC με χρήση PECVD;

Α: Το στρώμα DLC επικαλύφθηκε μέσω χημικής εναπόθεσης ατμών ενισχυμένη με πλάσμα και το στρώμα Cr σχηματίστηκε με φυσική εναπόθεση ατμών. Ο σχηματισμός του στρώματος επικάλυψης επιβεβαιώθηκε με ηλεκτρονιακή μικροσκοπία μετάδοσης, φασματοσκοπία Raman και ανάλυση ηλεκτρονικών μικροανιχνευτών.

Ε: Ποια είναι η πίεση του PECVD;

Α: Ένας πολύ αποτελεσματικός τρόπος εφαρμογής επικαλύψεων πλάσματος συνίσταται στην τοποθέτηση των τεμαχίων εργασίας στον θάλαμο κενού ενός συστήματος PECVD όπου η πίεση μειώνεται μεταξύ {0}}.1 και 0,5 millibar περίπου.

Ε: Ποια είναι τα πλεονεκτήματα του PECVD;

A: Το PECVD επιτρέπει την ανάπτυξη μεμβρανών γραφενίου σε μεταλλικούς καταλύτες με αποσύνθεση προδρόμων υδρογονανθράκων σε περιβάλλον πλάσματος. Αυτή η τεχνική επιτρέπει τη σύνθεση μεγάλης κλίμακας φιλμ γραφενίου με ρυθμιζόμενο πάχος και ποιότητα.

Ε: Πόσο πάχος είναι η επίστρωση PECVD;

Α: Το υπόστρωμα είναι το υλικό που επικαλύπτεται. Οι επικαλύψεις εφαρμόζονται σε ατομικό επίπεδο σε αντιδραστήρα CVD, καθιστώντας τις εξαιρετικά λεπτές (3 – 5 μικρά). Το υλικό επίστρωσης υφίσταται μείωση ή αποσύνθεση σε υψηλή θερμοκρασία και στη συνέχεια εναποτίθεται στο υπόστρωμα.

Ε: Τι είναι το οξείδιο PECVD;

Α: Το οξείδιο του πυριτίου με εναπόθεση χημικών ατμών ενισχυμένου πλάσματος (PECVD) χρησιμοποιείται ευρέως στα πεδία της μικροηλεκτρονικής και των μικροηλεκτρο-μηχανικών συστημάτων (MEMS). Χάρη στη χαμηλή θερμοκρασία εναπόθεσής τους, οι μεμβράνες PECVD είναι πολύ βολικές για διαδικασίες που απαιτούν χαμηλό θερμικό προϋπολογισμό.

Ε: Πώς λειτουργεί η διαδικασία PECVD;

Α: Το πλάσμα σε διαδικασίες εναπόθεσης ατμού παράγεται τυπικά με την εφαρμογή τάσης σε ηλεκτρόδια που είναι ενσωματωμένα σε ένα αέριο σε χαμηλές πιέσεις. Τα συστήματα PECVD μπορούν να παράγουν πλάσμα με διαφορετικά μέσα, π.χ. ραδιοσυχνότητες (RF) έως μεσαίες συχνότητες (MF) έως παλμική ή ευθεία ισχύ DC.

Ε: Ποια είναι η συχνότητα RF του PECVD;

A: Ανάλογα με τη συχνότητα διέγερσης του πλάσματος, η διαδικασία PECVD μπορεί να είναι είτε ραδιοσυχνότητας (RF)-PECVD (τυπική συχνότητα 13,56 MHz) είτε πολύ υψηλής συχνότητας (VHF)-PECVD (με συχνότητες έως 150 MHz). Για κύτταρα ετεροσύνδεσης, συνήθως, a-Si:H εναποτίθεται με RF-PECVD.

Ε: Τι είναι η επίστρωση DLC με χρήση PECVD;

Ε: Ποια είναι η ραδιοσυχνότητα του PECVD;

Α: Ενισχυμένη με πλάσμα χημική εναπόθεση ατμών (PECVD) με χρήση ραδιοσυχνότητας (RF, 13,56 MHz) και συχνότητας μικροκυμάτων (2,45 GHz) έχει χρησιμοποιηθεί ευρέως για την εναπόθεση αυτών των μεμβρανών.

Ως ένας από τους κορυφαίους κατασκευαστές και προμηθευτές συστημάτων pecvd στην Κίνα, σας καλωσορίζουμε θερμά να αγοράσετε σύστημα pecvd υψηλής ποιότητας για πώληση εδώ από το εργοστάσιό μας. Όλα τα προϊόντα μας είναι υψηλής ποιότητας και ανταγωνιστικές τιμές.